JANS2N3439参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N3439概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage. These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA

.: * ** packaging. also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.

JANS2N3439中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANS2N3439

型号： JANS2N3439

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

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替代型号JANS2N3439

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