JANS2N7372参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N7372概述

TO-254 PNP 80V 5A

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 5A 4W Through Hole TO-254AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin3+Tab TO-254

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 5A 4000mW 3-Pin3+Tab TO-254

JANS2N7372中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 4 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 4 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 4000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANS2N7372

型号： JANS2N7372

描述：TO-254 PNP 80V 5A

替代型号JANS2N7372