JANTXV2N7369

JANTXV2N7369概述

TO-254 PNP 80V 10A

has the solution to your circuit"s high-voltage requirements with their PNP general purpose bipolar junction transistor. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 115000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 7 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 200 °C.

JANTXV2N7369中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 115 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 30 @3A, 2V

额定功率Max 115 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N7369
型号: JANTXV2N7369
描述:TO-254 PNP 80V 10A
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