JAN2N6033

JAN2N6033图片1
JAN2N6033中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 40A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JAN2N6033
型号: JAN2N6033
制造商: Microsemi 美高森美
描述:NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N6033
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N6033

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTXV2N6033

美高森美

完全替代

JAN2N6033和JANTXV2N6033的区别

2N6033

美高森美

功能相似

JAN2N6033和2N6033的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台