JANTX2N6032参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

JANTX2N6032图片1

JANTX2N6032中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 140 W

击穿电压集电极-发射极 90 V

集电极最大允许电流 50A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANTX2N6032

型号： JANTX2N6032

制造商： Microsemi 美高森美

描述：NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N6032

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTX2N6032 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JAN2N6032 美高森美	完全替代	JANTX2N6032和JAN2N6032的区别
TIP31A 意法半导体	功能相似	JANTX2N6032和TIP31A的区别
BUV48A 意法半导体	功能相似	JANTX2N6032和BUV48A的区别