JANTXV2N7370

JANTXV2N7370概述

NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

This high power NPN transistor is rated at 12 amps and is military qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  This TO-254AA low-profile design offers flexible mounting options.


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray


JANTXV2N7370中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 100 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V

额定功率Max 100 W

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N7370
型号: JANTXV2N7370
描述:NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JANTXV2N7370
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N7370

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N7370

美高森美

完全替代

JANTXV2N7370和JAN2N7370的区别

JANTX2N7370

美高森美

完全替代

JANTXV2N7370和JANTX2N7370的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台