PNP达林顿大功率硅晶体管 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
This high power PNP transistor is rated at 12 amps and is military qualified up to the JANTXV level for high reliability applications. This TO-254AA low-profile design offers flexible mounting options.
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 12A 100000mW 3-Pin3+Tab TO-254 Tray
极性 PNP
耗散功率 100 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 12A
最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-254-3
封装 TO-254-3
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
JANTXV2N7371 Microsemi 美高森美 | 当前型号 | 当前型号 |
JAN2N7371 美高森美 | 完全替代 | JANTXV2N7371和JAN2N7371的区别 |
2N7371 美高森美 | 功能相似 | JANTXV2N7371和2N7371的区别 |
JANTX2N7371 美高森美 | 功能相似 | JANTXV2N7371和JANTX2N7371的区别 |