JAN2N7370

JAN2N7370概述

NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

This high power NPN transistor is rated at 12 amps and is military qualified up to the JANTXV level for high reliability applications.  This TO-254AA low-profile design offers flexible mounting options.


贸泽:
Darlington Transistors Power BJT


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 12A 3-Pin3+Tab TO-254


JAN2N7370中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 12A

最小电流放大倍数hFE 1000 @6A, 3V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: JAN2N7370
描述:NPN达林顿大功率硅晶体管 NPN DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N7370
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Microsemi 美高森美

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完全替代

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