J110-E3

J110-E3图片1
J110-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-92

外形尺寸

高度 4.7 mm

封装 TO-92

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买J110-E3
型号: J110-E3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:Trans JFET N-CH 3Pin TO-92
替代型号J110-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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