JANTX1N649-1

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JANTX1N649-1概述

硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes

Need to operate a diode in the reverse-breakdown region? No worries, use a voltage regulator JANTX1N6491 zener diode from . Its maximum power dissipation is 1500 mW. This device has a maximum regulator current of 255 mA. Its test current is 45 mA. Its maximum leakage current is 0.5 μA. This zener device has a nominal voltage of 5.6 V and a voltage tolerance of 5%. This zener diode has an operating temperature range of -65 °C to 175 °C. It is made in a single configuration.

JANTX1N649-1中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1V @400mA

耗散功率 1.5 W

测试电流 45 mA

正向电流 400 mA

稳压值 5.6 V

正向电压Max 1V @400mA

正向电流Max 400 mA

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35

外形尺寸

封装 DO-35

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTX1N649-1
型号: JANTX1N649-1
描述:硅整流二极管 Silicon Rectifier Diodes
替代型号JANTX1N649-1
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JANTX1N649-1

Microsemi 美高森美

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JANTX1N649-1和JANTXV1N649-1的区别

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JANTX1N649-1和1N649-1的区别

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