JANTX1N6151AUS参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX1N6151AUS概述

Diode TVS Single Bi-Dir 18.2V 1.5kW 2Pin G-MELF

Surges can be a costly problem, avoid the pain and suffering by implementing this TVS diode from . Its peak pulse power dissipation is 1500 W. Its maximum leakage current is 5 μA. This device"s maximum clamping voltage is 33.3 V and minimum breakdown voltage is 22.8 V. Its test current is 50 mA. This TVS diode has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.

JANTX1N6151AUS中文资料参数规格

技术参数

钳位电压 33.3 V

测试电流 50 mA

脉冲峰值功率 1500 W

最小反向击穿电压 22.8 V

击穿电压 22.8 V

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 175℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 G-MELF

外形尺寸

封装 G-MELF

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTX1N6151AUS

型号： JANTX1N6151AUS

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Diode TVS Single Bi-Dir 18.2V 1.5kW 2Pin G-MELF

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替代型号JANTX1N6151AUS

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