JAN2N657S参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

JAN2N657S图片1

JAN2N657S概述

TO-5AA NPN 100V 0.2A

Bipolar BJT Transistor NPN 100V 20mA Through Hole TO-5

艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-5AA

Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 0.2A 3-Pin TO-5AA

JAN2N657S中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 0.2A

工作温度Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N657S

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-5AA NPN 100V 0.2A