JAN2N2060L参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2060L概述

规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/270

JAN2N2060L中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @10mA, 5V

额定功率Max 2.12 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N2060L

型号： JAN2N2060L

描述：规格化双NPN硅晶体管 UNITIZED DUAL NPN SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2060L

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