JDV2S10S

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JDV2S10S概述

JDV2S10S 变容二极管 10V 7.3pF-8.4pF 2.55 SOD-723/SESC marking/标记 F 超高频调谐/高电容率/低串联电阻

反向电压VRReverse Voltage| 10V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 7.3pF-8.4pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 0.5V 电容值CDiode capacitance| 2.75pF-3.4pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 2.5V 电容比Capacitance ratio| 2.55 Description & Applications| VCO for UHF Band Radio High Capacitance Ratio : C0.5V/C2.5V = 2.5 Low Series Resistance : rs = 0.35 Ω This device is suitable for use in a small-size tuner 描述与应用| 用于超高频波段无线电的压控振荡器 高电容率C0.5V/C2.5V=2.5 低串联电阻:RS= 0.35Ω 这个装置适合在一个小型的调谐器中使用


Win Source:
TOSHIBA DIODE Silicon Epitaxial Planar Type


JDV2S10S中文资料参数规格
封装参数

封装 SOD-723

外形尺寸

封装 SOD-723

其他

反向电压VRReverse Voltage 10V

电容值CDiode capacitance 2.75pF-3.4pF

@反向电压VR@Reverse Voltage 2.5V

电容比Capacitance ratio 2.55

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符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: JDV2S10S
制造商: Toshiba 东芝
描述:JDV2S10S 变容二极管 10V 7.3pF-8.4pF 2.55 SOD-723/SESC marking/标记 F 超高频调谐/高电容率/低串联电阻

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