JAN2N918UB参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N918UB概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 15V 50mA 200mW Surface Mount

艾睿:
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 3-Pin UB

JAN2N918UB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

输入电容 2 pF

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @3mA, 1V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SMD-3

外形尺寸

高度 1.42 mm

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N918UB

型号： JAN2N918UB

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N918UB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N918UB Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N918UB 美高森美	类似代替	JAN2N918UB和2N918UB的区别
JANS2N918UB 美高森美	功能相似	JAN2N918UB和JANS2N918UB的区别
JANTXV2N918UB Semicoa Semiconductor	功能相似	JAN2N918UB和JANTXV2N918UB的区别