JAN2N6306参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6306概述

JAN 系列 250 V 8 A 通孔 NPN 功率硅晶体管 - TO-204AA TO-3

Bipolar BJT Transistor NPN 250V 8A 125W Through Hole TO-204AA TO-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 8A 125000mW 3-Pin2+Tab TO-3 Tray

Win Source:
TRANS NPN 250V 8A TO3

JAN2N6306中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 250 V

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 5V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-204

外形尺寸

封装 TO-204

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N6306

描述：JAN 系列 250 V 8 A 通孔 NPN 功率硅晶体管 - TO-204AA TO-3

替代型号JAN2N6306