JAN2N3467L参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N3467L概述

PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 1A 1W Through Hole TO-5

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JAN2N3467L中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @500mA, 1V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N3467L

型号： JAN2N3467L

描述：PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JAN2N3467L