JDV2S01E

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JDV2S01E概述

JDV2S01E 变容二极管 10V 3.15pF 2 SOD-523/SC-79/ESC/0603 marking/标记 FA 调谐/高电容率/低串联电阻

反向电压VRReverse Voltage| 10V \---|--- 电容值CDiode capacitance| 3.15pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 1V 电容值CDiode capacitance| 1.57pF @反向电压VR@Reverse Voltage| 4V 电容比Capacitance ratio| 2 Description & Applications| TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type VCO for UHF band VCO for UHF band Small Package High Capacitance Ratio: C1V/C4V = 2.0 Low Series Resistance: rs = 0.5 Ω 描述与应用| 二极管硅外延平面型 UHF频段的VCO 用于超高频频段的压控振荡器 小型封装 高电容率C1V/C4V=2.0 低串联电阻:RS= 0.5Ω

JDV2S01E中文资料参数规格
封装参数

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: JDV2S01E
制造商: Toshiba 东芝
描述:JDV2S01E 变容二极管 10V 3.15pF 2 SOD-523/SC-79/ESC/0603 marking/标记 FA 调谐/高电容率/低串联电阻

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