JAN2N3584参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N3584概述

NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 250V 2A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 250V 2A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

JAN2N3584中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 10V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N3584

描述：NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N3584