JAN2N3810U参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N3810U概述

PNP 60V 0.05A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

JAN2N3810U中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N3810U

描述：PNP 60V 0.05A

替代型号JAN2N3810U