JAN2N3810L参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N3810L概述

Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

JAN2N3810L中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-78-6

外形尺寸

封装 TO-78-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N3810L

型号： JAN2N3810L

描述：Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6Pin TO-78

替代型号JAN2N3810L