JAN2N6251T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N6251T1概述

TO-3 NPN 350V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 350V 10A 6W Through Hole

得捷:
TRANS NPN 350V 10A TO254AA

JAN2N6251T1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 6 @10A, 3V

额定功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N6251T1

描述：TO-3 NPN 350V 10A

替代型号JAN2N6251T1