JANS2N5416

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JANS2N5416概述

TO-5 PNP 300V 1A

This family of 2N5415 and 2N5416 epitaxial planar transistors are military qualified up to a JANS level for high-reliability applications.  These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA packaging.


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Tray


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 750mW 3-Pin TO-5 Tray


JANS2N5416中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5

外形尺寸

封装 TO-5

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANS2N5416
型号: JANS2N5416
描述:TO-5 PNP 300V 1A
替代型号JANS2N5416
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANS2N5416

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JANTX2N5416S

美高森美

完全替代

JANS2N5416和JANTX2N5416S的区别

JAN2N5416

美高森美

完全替代

JANS2N5416和JAN2N5416的区别

JAN2N5416S

美高森美

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