JANS2N5004参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANS2N5004概述

TO-59 NPN 80V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 5A 2W Stud Mount TO-59

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59

JANS2N5004中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-59

外形尺寸

封装 TO-59

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JANS2N5004

描述：TO-59 NPN 80V 10A

替代型号JANS2N5004