JANTXV2N5339U3参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5339U3概述

TO-276AA NPN 100V 5A

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-276AA Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-276AA Tray

JANTXV2N5339U3中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-276

外形尺寸

封装 TO-276

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N5339U3

型号： JANTXV2N5339U3

描述：TO-276AA NPN 100V 5A