JANTXV2N6250T1参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N6250T1概述

TO-3 NPN 275V 10A

Bipolar BJT Transistor NPN 275V 10A 6W Through Hole

得捷:
TRANS NPN 275V 10A TO254AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JANTXV2N6250T1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 275 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 8 @10A, 3V

额定功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-254-3

外形尺寸

封装 TO-254-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N6250T1

型号： JANTXV2N6250T1

描述：TO-3 NPN 275V 10A

替代型号JANTXV2N6250T1