JANSR2N3637UB

JANSR2N3637UB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANSR2N3637UB
型号: JANSR2N3637UB
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans GP BJT PNP 175V 1A 3Pin SMD

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