JANSR2N3636UB

JANSR2N3636UB中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 175 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 UB

外形尺寸

封装 UB

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: JANSR2N3636UB
制造商: Microsemi 美高森美
描述:UB PNP 175V 1A

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