JANSR2N3637

JANSR2N3637图片1
JANSR2N3637中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1000 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买JANSR2N3637
型号: JANSR2N3637
制造商: Microsemi 美高森美
描述:Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3Pin TO-39
替代型号JANSR2N3637
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANSR2N3637

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

JAN2N3637

美高森美

完全替代

JANSR2N3637和JAN2N3637的区别

2N3636

美高森美

完全替代

JANSR2N3637和2N3636的区别

JANS2N3637

美高森美

类似代替

JANSR2N3637和JANS2N3637的区别

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