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JAN2N5582图片1

JAN2N5582概述

TO-46 NPN 50V 0.8A

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-46-3

JAN2N5582中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-46-3

外形尺寸

封装 TO-46-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N5582

型号： JAN2N5582

制造商： Microsemi 美高森美

描述：TO-46 NPN 50V 0.8A

替代型号JAN2N5582

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N5582 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N5582 美高森美	完全替代	JAN2N5582和2N5582的区别
2N1711 Multicomp	功能相似	JAN2N5582和2N1711的区别
BC558BTA 安森美	功能相似	JAN2N5582和BC558BTA的区别