JANTXV2N2946A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2946A概述

PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR

This 2N2944A through 2N2946A PNP silicon transistor device is military qualified up to a JANTXV level for high-reliability applications. also offers numerous other products to meet higher and lower power voltage regulation applications.

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 400mW 3-Pin TO-46 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 400mW 3-Pin TO-46 Bag

JANTXV2N2946A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.4 W

击穿电压集电极-发射极 35 V

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-46

外形尺寸

封装 TO-46

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买JANTXV2N2946A

型号： JANTXV2N2946A

制造商： Microsemi 美高森美

描述：PNP硅小信号晶体管 PNP SILICON SMALL SIGNAL TRANSISTOR

立即咨询

替代型号JANTXV2N2946A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTXV2N2946A Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JAN2N2946A 美高森美	完全替代	JANTXV2N2946A和JAN2N2946A的区别
JANTX2N2946A 美高森美	完全替代	JANTXV2N2946A和JANTX2N2946A的区别
2N2946A 美高森美	完全替代	JANTXV2N2946A和2N2946A的区别