JAN2N5153参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5153概述

PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag

JAN2N5153中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N5153

型号： JAN2N5153

描述：PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N5153

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N5153 Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANS2N5153 美高森美	完全替代	JAN2N5153和JANS2N5153的区别
JANS2N5153L 美高森美	完全替代	JAN2N5153和JANS2N5153L的区别
2N5153LEADFREE Central Semiconductor	功能相似	JAN2N5153和2N5153LEADFREE的区别