JANTX2N1893S参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTX2N1893S概述

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 80V 500mA 3W Through Hole TO-39 TO-205AD

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 800mW 3-Pin TO-5 Bag

JANTX2N1893S中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 3 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTX2N1893S

型号： JANTX2N1893S

描述：NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTX2N1893S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JANTX2N1893S Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
2N1893S 美高森美	完全替代	JANTX2N1893S和2N1893S的区别
JANTX2N3499 Semicoa Semiconductor	功能相似	JANTX2N1893S和JANTX2N3499的区别
MPS8098 Continental Device	功能相似	JANTX2N1893S和MPS8098的区别