JAN2N5665参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N5665概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 300V 5A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA

JAN2N5665中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 5V

额定功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-213

外形尺寸

封装 TO-213

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N5665

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JAN2N5665