JAN2N2222AL参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2222AL概述

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 3-Pin TO-18 Bag

JAN2N2222AL中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N2222AL

描述：Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3Pin TO-18

替代型号JAN2N2222AL