JAN2N2222AUA参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2222AUA概述

Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin UA Waffle

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin UA Waffle

JAN2N2222AUA中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-4

外形尺寸

封装 SMD-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N2222AUA

型号： JAN2N2222AUA

描述：Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 4Pin UA

替代型号JAN2N2222AUA

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
JAN2N2222AUA Microsemi 美高森美	当前型号	当前型号
JANTX2N2222AUA 美高森美	完全替代	JAN2N2222AUA和JANTX2N2222AUA的区别
2N2222ACSM4 Semelab	功能相似	JAN2N2222AUA和2N2222ACSM4的区别
JANS2N2222AUA Semicoa Semiconductor	功能相似	JAN2N2222AUA和JANS2N2222AUA的区别