JANTXV2N5664参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N5664概述

NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 200V 5A 2.5W Through Hole TO-66 TO-213AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

Verical:
Trans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin2+Tab TO-66 Tray

JANTXV2N5664中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5 W

击穿电压集电极-发射极 200 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 5V

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-66

外形尺寸

封装 TO-66

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N5664

型号： JANTXV2N5664

描述：NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N5664