JAN2N4029

JAN2N4029图片1
JAN2N4029概述

Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-18

Bipolar BJT Transistor PNP 80V 1A 500mW Through Hole TO-18 TO-206AA


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor


JAN2N4029中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N4029
型号: JAN2N4029
描述:Trans GP BJT PNP 80V 1A 3Pin TO-18
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