PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
Bipolar BJT Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5
击穿电压集电极-发射极 175 V
最小电流放大倍数hFE 100 @50mA, 10V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-5
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
数据手册