JAN2N2880

JAN2N2880中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 40 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

封装参数

封装 TO-210

外形尺寸

封装 TO-210

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N2880
型号: JAN2N2880
描述:PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N2880
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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