JANTXV2N3507A

JANTXV2N3507A概述

TO-39 NPN 50V 3A

This family of 2N3506 through 2N3507A high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-5 and low profile U4 packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.


JANTXV2N3507A中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 30 @1.5A, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买JANTXV2N3507A
型号: JANTXV2N3507A
描述:TO-39 NPN 50V 3A
替代型号JANTXV2N3507A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JANTXV2N3507A

Microsemi 美高森美

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当前型号

JAN2N3507

美高森美

完全替代

JANTXV2N3507A和JAN2N3507的区别

2N3507A

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