Trans GP BJT NPN 15V 4Pin UA
Bipolar BJT Transistor NPN 15V 360mW Through Hole TO-18 TO-206AA
击穿电压集电极-发射极 15 V
最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V
额定功率Max 360 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-206
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准
含铅标准
数据手册
JAN2N2369AUA
Microsemi 美高森美
当前型号
JANTXV2N2369AUA
Semicoa Semiconductor
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