Trans Pnp 80V 1A
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 1A 500mW Through Hole TO-39 TO-205AD
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V
额定功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Pack
RoHS标准
含铅标准
数据手册
JAN2N4033UB
Microsemi 美高森美
当前型号
JANS2N4033UB
美高森美
完全替代
2N4033UB
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