JAN2N5339

JAN2N5339概述

Trans Npn 100V 5A To39

FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag


JAN2N5339中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-205

外形尺寸

封装 TO-205

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N5339
型号: JAN2N5339
描述:Trans Npn 100V 5A To39
替代型号JAN2N5339
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JAN2N5339

Microsemi 美高森美

当前型号

当前型号

2N5339

Central Semiconductor

功能相似

JAN2N5339和2N5339的区别

JANTX2N5339

Semicoa Semiconductor

功能相似

JAN2N5339和JANTX2N5339的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台