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JAN2N3960概述

Trans GP BJT NPN 12V 3Pin TO-18

- 双极 BJT - 单 NPN 12 V - 400 mW 通孔 TO-18（TO-206AA）

得捷:
TRANS NPN 12V TO18

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor

JAN2N3960中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 12 V

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 1V

额定功率Max 400 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

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型号： JAN2N3960

制造商： Microsemi 美高森美

描述：Trans GP BJT NPN 12V 3Pin TO-18