PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR
FEATURES: ? PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR ? Qualified per MIL-PRF-19500/561
贸泽: 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Power BJT
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 30 @2.5A, 5V
额定功率Max 1 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-205
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准
数据手册