JAN2N2369AUB参数规格_中文资料_数据手册PDF

JAN2N2369AUB概述

NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 15V 360mW Surface Mount UB

艾睿:
Trans GP BJT NPN 15V 360mW 4-Pin UB Waffle

JAN2N2369AUB中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 20 @100mA, 1V

额定功率Max 360 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SMD-3

外形尺寸

封装 SMD-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Pack

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： JAN2N2369AUB

描述：NPN硅晶体管 NPN SILICON TRANSISTOR

替代型号JAN2N2369AUB