JANTXV2N2906A参数规格_中文资料_数据手册PDF

JANTXV2N2906A概述

PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 500mW Through Hole TO-18

JANTXV2N2906A中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 10V

额定功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JANTXV2N2906A

型号： JANTXV2N2906A

描述：PNP小信号硅晶体管 PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR

替代型号JANTXV2N2906A