JAN2N5680

JAN2N5680概述

TO-39 PNP 120V 1A

Bipolar BJT Transistor


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT Power BJT


JAN2N5680中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 1A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-39

外形尺寸

封装 TO-39

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: JAN2N5680
描述:TO-39 PNP 120V 1A

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