JAN2N3999

JAN2N3999中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 2V

额定功率Max 2 W

封装参数

封装 TO-59

外形尺寸

封装 TO-59

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买JAN2N3999
型号: JAN2N3999
描述:NPN电源开关硅晶体管 NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR
替代型号JAN2N3999
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